Samsung destina más de la mitad de su capacidad de 4 nm a fabricar los base dies de HBM4 para IA
Samsung habría asignado entre el 50% y el 60% de su capacidad de 4 nm a los base dies de HBM4, mientras acelera la producción para NVIDIA, AMD y Broadcom.
Samsung está dedicando más de la mitad de su capacidad de fabricación de 4 nm a los base dies utilizados en HBM4, según fuentes de la industria citadas por ZDNet Korea. El movimiento refleja hasta qué punto la demanda de memoria para aceleradores de inteligencia artificial está modificando las prioridades de Samsung Foundry, aunque la compañía no ha publicado cifras oficiales sobre el número de obleas reservado a esta producción.
Entre el 50% y el 60% de los 4 nm estaría dedicado a HBM4
Según el informe coreano, Samsung ya utilizaba en agosto más del 50% de su capacidad total de 4 nm para fabricar base dies destinados a HBM4.
Una fuente familiarizada con la producción sitúa actualmente esa proporción entre aproximadamente el 50% y el 60% y asegura que Samsung pretende mantener un nivel elevado durante toda la segunda mitad de 2026.
El dato no procede de una cifra de capacidad publicada directamente por Samsung. Debe considerarse una estimación de la industria basada en la actividad observada en sus fábricas.
Samsung tendría unos 30.000 wafers mensuales de capacidad en 4 nm
ZDNet Korea estima que Samsung dispone de capacidad para procesar alrededor de 30.000 obleas al mes mediante su proceso de 4 nm.
Si aproximadamente la mitad se está destinando a HBM4, eso equivaldría a unas 15.000 obleas mensuales utilizadas específicamente para fabricar base dies de esta memoria.
Samsung produce nodos comprendidos entre 4 y 7 nm en las líneas Foundry S5 y S6 de sus complejos P2 y P3 de Pyeongtaek, Corea del Sur.
El base die es una pieza clave de HBM4
HBM no consiste únicamente en apilar chips de DRAM. En la parte inferior del conjunto existe un componente denominado base die, encargado de gestionar las comunicaciones entre las capas de memoria y el acelerador al que están conectadas.
Con HBM4, esta pieza adquiere todavía más importancia porque la nueva generación aumenta considerablemente el número de conexiones y la complejidad de la interfaz.
Samsung fabrica el base die de su HBM4 utilizando el proceso SF4 de 4 nm de su propia división Foundry. Esto permite a la compañía controlar internamente tanto la fabricación de la memoria DRAM como una parte crítica de la lógica situada debajo de ella.
HBM4 está llevando nuevas cargas de trabajo a Samsung Foundry
La división Foundry se ha beneficiado directamente del crecimiento de esta memoria. En sus resultados del segundo trimestre de 2026, Samsung confirmó que la mejora del negocio de fabricación por contrato estuvo impulsada, entre otros factores, por la demanda de base dies para HBM.
La compañía también anunció que durante la segunda mitad del año incrementaría la producción de productos basados en 4 nm, citando específicamente los base dies entre las áreas de crecimiento.
Samsung no reveló entonces qué porcentaje exacto de sus líneas de 4 nm estaría reservado para HBM4, por lo que el nuevo dato del 50% al 60% procede exclusivamente de fuentes industriales.
NVIDIA, AMD y Broadcom impulsan la demanda
La ampliación de capacidad está vinculada a los pedidos de grandes diseñadores de chips para inteligencia artificial, entre ellos NVIDIA, AMD y Broadcom.
HBM4 está diseñada para acompañar a una nueva generación de aceleradores que necesita mover cantidades cada vez mayores de información entre memoria y unidades de cómputo.
Uno de los productos más importantes será la plataforma Vera Rubin de NVIDIA, que utiliza HBM4. La memoria de gran ancho de banda se ha convertido así en uno de los componentes más críticos de los nuevos centros de datos dedicados a IA.
Samsung empezó a enviar HBM4 comercial en febrero
Samsung anunció en febrero de 2026 que había comenzado la producción y el envío comercial de HBM4. La compañía afirmó entonces ser la primera del sector en alcanzar esa fase comercial.
Durante los primeros meses, los volúmenes todavía eran relativamente bajos. La expansión más significativa comenzó a partir del tercer trimestre, lo que explica el fuerte aumento de las obleas de 4 nm destinadas a los base dies desde mediados de año.
Samsung ya anticipó que sus ventas totales de HBM durante 2026 serían más de tres veces superiores a las registradas en 2025.
Los ingresos de HBM4 podrían más que triplicarse en el tercer trimestre
Durante la presentación de resultados del segundo trimestre, Samsung proyectó que los ingresos procedentes de HBM4 durante el tercer trimestre serían más de tres veces superiores a los del trimestre anterior.
La compañía espera además que HBM4 represente claramente más del 60% de sus ingresos totales de HBM durante la segunda mitad de 2026, según declaraciones realizadas durante su conferencia de resultados y recogidas por ZDNet Korea.
La cifra ayuda a explicar por qué Samsung está dispuesta a dedicar una parte tan importante de un nodo relativamente avanzado como 4 nm a un componente de memoria.
HBM4 también ayuda a llenar las fábricas de Samsung
La utilización de los 4 nm para base dies tiene otra ventaja estratégica. Samsung Foundry ha tenido que competir durante años con TSMC por grandes clientes de procesos avanzados, mientras intentaba mejorar utilización y rentabilidad de sus fábricas.
La producción interna de base dies para HBM4 proporciona una carga considerable y relativamente estable para esas líneas, reduciendo la dependencia de contratos externos para mantenerlas ocupadas.
Las fuentes citadas por ZDNet Korea aseguran que la capacidad de 4 nm de Samsung se encuentra actualmente prácticamente a plena utilización.
Samsung combina memoria, foundry y empaquetado avanzado
Una de las principales diferencias de Samsung frente a otros fabricantes de HBM es su estructura integrada. La compañía dispone de divisiones propias de DRAM, fabricación lógica y empaquetado avanzado.
Samsung sostiene que esta integración le permite optimizar conjuntamente el diseño del base die y de la memoria, además de reducir los ciclos necesarios para llevar nuevos productos a producción.
La estrategia cobra aún más importancia a medida que los fabricantes de aceleradores solicitan variantes de HBM personalizadas para arquitecturas concretas.
HBM4E ya está en manos de grandes clientes como muestra
Samsung confirmó en julio que ya había enviado las primeras muestras de HBM4E a clientes importantes. Esta evolución de HBM4 será utilizada en generaciones posteriores de aceleradores de inteligencia artificial.
La compañía también trabaja en HBM personalizado y espera enviar muestras adaptadas a las especificaciones de clientes durante 2027.
Ese desarrollo puede elevar aún más la importancia de Foundry, porque los futuros base dies incorporarán una cantidad creciente de lógica personalizada y utilizarán procesos de fabricación más avanzados.
El siguiente paso apunta a base dies de 2 nm
La transición tampoco terminará en los 4 nm. Samsung está preparando generaciones posteriores de HBM en las que el base die avanzará hacia nodos todavía más pequeños.
Reducir el nodo permite integrar más lógica y mejorar determinadas características de rendimiento y eficiencia, aunque también aumenta los costes de fabricación y la complejidad del diseño.
La fuerte utilización actual de 4 nm muestra cómo HBM está dejando de ser únicamente un negocio de memoria. En las generaciones destinadas a IA, cada módulo combina cada vez más estrechamente DRAM, lógica avanzada y empaquetado, convirtiendo a los base dies en una nueva fuente de demanda para las fábricas de semiconductores más avanzadas.
